STB75NF75L和STB75NF75LT4

对比图

型号 STB75NF75L STB75NF75LT4 STB75NF75

描述 N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB75NF75LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 37.5 A, 75 V, 0.009 ohm, 15 V, 2.5 VN沟道75V - 0.0095欧姆 - 80A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.0095 ohm - 80A TO-220/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A 80A

额定电压(DC) - 75.0 V -

额定电流 - 75.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.009 Ω -

耗散功率 - 300 W -

阈值电压 - 2.5 V -

漏源击穿电压 - 75.0 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

上升时间 - 155 ns -

输入电容(Ciss) - 4300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 W -

下降时间 - 60 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - - NLR

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -