IPD12CN10NGATMA1和IPD200N15N3GBTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD12CN10NGATMA1 IPD200N15N3GBTMA1

描述 DPAK N-CH 100V 67ADPAK N-CH 150V 50A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 125 W 150 W

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 125 W 150 W

漏源极电压(Vds) 100 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 67A 50A

上升时间 21 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 4320pF @50V(Vds) 1820pF @75V(Vds)

下降时间 8 ns 6 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 150W (Tc)

额定功率(Max) 125 W -

高度 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

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