NTR4501NT1和NTR4501NT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTR4501NT1 NTR4501NT1G NTR4501NT3

描述 功率MOSFET的20 V , 3.2 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23ON SEMICONDUCTOR  NTR4501NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 V功率MOSFET的20 V , 3.2 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V 20.0 V

额定电流 3.20 A 3.20 A 3.20 A

额定功率 - 1.25 W -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 85.0 mΩ 0.08 Ω 85 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W

阈值电压 - 1.2 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.20 A 3.20 A 3.20 A

上升时间 - 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 200pF @10V(Vds) 200pF @10V(Vds) 200pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 1.25 W -

下降时间 - 3 ns 12 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

通道数 - - 1

输入电容 200 pF - 200 pF

栅电荷 6.00 nC - 6.00 nC

长度 - 2.9 mm 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台