对比图
型号 AUIRF1010EZS IRF1010EZS IRF1010EZSPBF
描述 D2PAK N-CH 60V 84AD2PAK N-CH 60V 84AINFINEON IRF1010EZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 140 W 140W (Tc) 140 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 84A 84A 84A
输入电容(Ciss) 2810pF @25V(Vds) 2810pF @25V(Vds) 2810pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.0068 Ω - 0.0085 Ω
阈值电压 2 V - 4 V
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 140 W - -
通道数 1 - -
上升时间 90 ns - -
下降时间 54 ns - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10 mm - 10.67 mm
宽度 9.65 mm - 9.65 mm
高度 4.4 mm - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17