对比图
型号 SST39SF010A-70-4I-NHE SST39SF010A-70-4I-WHE SST39SF010A-70-4C-NHE
描述 SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，MicrochipMICROCHIP SST39SF010A-70-4I-WHE 闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, TSOP, 32 引脚MICROCHIP SST39SF010A-70-4C-NHE 闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 32 32 32
封装 PLCC-32 TSOP-32 PLCC-32
电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) 4.50V (min)
针脚数 32 32 32
时钟频率 - - 14 MHz
位数 8 8 8
存取时间 70 ns 70 ns 70 ns
内存容量 125000 B 125000 B 125000 B
存取时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
工作电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -
供电电流 25 mA 25 mA -
长度 14.05 mm 12.5 mm 14.05 mm
宽度 11.51 mm 8.1 mm 11.51 mm
高度 2.84 mm 1.05 mm 2.84 mm
封装 PLCC-32 TSOP-32 PLCC-32
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tray Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 3A991.b.1.a 3A991.b.1.a 3A991.b.1.a
HTS代码 8542320051 - 8542320051