HM6264BLSP-10L和LH5164A-10LF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HM6264BLSP-10L LH5164A-10LF UM62L64K-10L

描述 SRAM Chip Async Single 5V 64Kbit 8K x 8 100ns 28Pin PDIPSRAM Chip Async Single 5V 64Kbit 8K x 8 100ns 28Pin PDIPStandard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Sharp (夏普) United Microelectronics

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 28 28 -

封装 DIP DIP-28 -

安装方式 - Through Hole -

位数 8 - -

存取时间(Max) 100 ns 100 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -10 ℃ -

电源电压 5 V 4.5V ~ 5.5V -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 - 100 ns -

内存容量 - 64000 B -

封装 DIP DIP-28 -

高度 - 4.25 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -10℃ ~ 70℃ (TA) -

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