IS41C16100-50KI和IS41C16100-50KL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS41C16100-50KI IS41C16100-50KL KM416C1204CJ-L5

描述 1M x 16 (16Mbit) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE1M x 16 (16Mbit) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE5V, 1M x 16Bit CMOS DRAM with extended data out, 50ns

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 SOJ SOJ SOJ

封装 SOJ SOJ SOJ

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -

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