SN65LVDT100D和SN65LVDT100DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN65LVDT100D SN65LVDT100DR SN65LVDT100DG4

描述 LVDS/M-LVDS/ECL/CML,转发器/缓冲器,Texas Instruments### LVDS 通信低压差分信号或 LVDS 是可以在廉价双绞线铜电缆上以极高速度运行的电子信号系统。应用:Firewire、SATA、SCSI微分翻译/中继器 DIFFERENTIAL TRANSLATOR/REPEATER微分翻译/中继器 DIFFERENTIAL TRANSLATOR/REPEATER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 接口芯片接口芯片LVDS、M-LVDS、ECL、CML

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 3.00V (min) 3.00V (min) 3.00V (min)

输出电流 12 µA 12 µA 12.0 µA

供电电流 25 mA 25 mA 25 mA

通道数 1 1 1

耗散功率 481 W 481 W 481 mW

输入电容 .6 pF .6 pF .6 pF

输入电流(Min) 33 μA 33 μA 33 μA

输入数 2 2 -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 481 mW 481 mW 481 mW

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

输入电压(Max) - - 0.1 V

输入电压(Min) - - 0.1 V

输出电压(Max) - - 0.454 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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