MPSW56和MPSW56RLRAG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW56 MPSW56RLRAG BC212

描述 PNP通用放大器 PNP General Purpose AmplifierNPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管流程63 PNP中功率 Process 63 PNP Medium Power

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -50.0 V

额定电流 -1.00 A -500 mA -300 mA

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @250mA, 1V 50 @250mA, 1V 60 @2mA, 5V

额定功率(Max) 1 W 1 W 625 mW

频率 - 50 MHz -

极性 - PNP, P-Channel -

耗散功率 - 1 W -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5 W -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 - 5.21 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 7.87 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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