对比图
型号 BUK7610-100B BUK7610-100B,118
描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETD2PAK N-CH 100V 110A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
封装 D2PAK TO-263-3
安装方式 - Surface Mount
极性 N-CH N-CH
耗散功率 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 110A 110A
上升时间 - 45 ns
输入电容(Ciss) - 6773pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W
下降时间 - 36 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc)
封装 D2PAK TO-263-3
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)