JAN2N2060和JANTX2N2060L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2060 JANTX2N2060L 2N2060

描述 规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 6 6 6

封装 TO-78 TO-78-6 TO-78-6

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @10mA, 5V -

额定功率(Max) - 2.12 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 600 mW 600 mW 600 mW

耗散功率 0.6 W - 0.6 W

封装 TO-78 TO-78-6 TO-78-6

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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