BSC0909NS和BSC094N03SG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC0909NS BSC094N03SG BSC080N03LSGATMA1

描述 30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFETOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-TransistorINFINEON  BSC080N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

额定功率 - - 35 W

通道数 1 - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 7.7 mΩ - 0.0067 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2.5 W - 35 W

阈值电压 - - 2.2 V

漏源极电压(Vds) 34 V 30.0 V 30 V

漏源击穿电压 34 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 12A 35.0 A 14A

上升时间 4.4 ns - 2.8 ns

输入电容(Ciss) 1110pF @15V(Vds) - 1300pF @15V(Vds)

下降时间 5.4 ns - 2.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2.8W (Ta), 52W (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc)

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 35.0 A -

输入电容 - 1.80 nF -

栅电荷 - 14.0 nC -

额定功率(Max) 27 W - -

长度 5.9 mm - 5.9 mm

宽度 5.15 mm - 5.15 mm

高度 1.27 mm - 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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