FDS86242和SI4848DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS86242 SI4848DY-T1-GE3

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.0563 Ω 0.068 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 5 W 1.5 W

阈值电压 3.5 V 2 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 4.1A 2.70 A

上升时间 1.5 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 760pF @75V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 1.5 W

下降时间 2.8 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc) -

针脚数 - 8

长度 4 mm -

宽度 5 mm -

高度 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司