MMBZ18VAL和MMBZ18VALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ18VAL MMBZ18VALT1G MMBZ18VAL,215

描述 NXP  MMBZ18VAL  静电保护装置, TVS, 25 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mWON SEMICONDUCTOR  MMBZ18VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚ESD Suppressor TVS 30kV 3Pin TO-236AB T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

工作电压 900 mV - -

针脚数 3 3 -

耗散功率 360 mW 0.3 W 360 mW

钳位电压 25 V 25 V 25 V

额定电压(DC) - 18.0 V -

额定功率 - 40.0 W -

击穿电压 - 17.1 V 18 V

通道数 - 2 -

正向电压 - 0.9 V -

测试电流 - 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 - 18.9 V -

脉冲峰值功率 - 40 W 40 W

最小反向击穿电压 - 17.1 V 17.1 V

击穿电压 - 17.1 V 17.1 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW 360 mW

电容 - - 90 pF

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.40 mm -

高度 - 0.94 mm 1 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TA)

ECCN代码 - EAR99 -

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