对比图
型号 IS62WV51216BLL-55BI IS62WV51216BLL-55BLI
描述 静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器静态 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 --
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 48 48
封装 TFBGA-48 BGA-48
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)
供电电流 - 5 mA
位数 16 16
存取时间 55 ns 55 ns
内存容量 - 8000000 B
存取时间(Max) 55 ns 55 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V
长度 - 8.8 mm
宽度 - 7.2 mm
高度 - 0.9 mm
封装 TFBGA-48 BGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99