对比图
型号 IXFA10N60P IXTI10N60P IXFP10N60P
描述 D2PAK N-CH 600V 10ATrans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin(2+Tab) D2PAKIXYS SEMICONDUCTOR IXFP10N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 740 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 740 mΩ - 0.74 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 200 W 200W (Tc) 200 W
输入电容 1.61 nF 1.61 nF 1.61 nF
栅电荷 32.0 nC 32.0 nC 32.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A 10.0 A
上升时间 27 ns - 27 ns
输入电容(Ciss) 1610pF @25V(Vds) 1610pF @25V(Vds) 1610pF @25V(Vds)
下降时间 21 ns - 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200000 mW
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 5.5 V
反向恢复时间 - - 200 ns
额定功率(Max) - - 200 W
长度 9.9 mm - 10.66 mm
宽度 9.2 mm - 4.83 mm
高度 4.5 mm - 9.15 mm
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15