对比图
型号 IXGH16N60B2D1 IXGH28N60B3D1
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-247Trans IGBT Chip N-CH 600V 66A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-247
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 30 ns 25 ns
额定功率(Max) 150 W 190 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 190 W
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free