BST62,115和BST60,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BST62,115 BST60,115

描述 Nexperia BST62,115 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3引脚 SOT-89封装SOT-89 PNP 45V 1A

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

针脚数 3 -

耗散功率 1.3 W 1.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W

直流电流增益(hFE) 2000 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 200 MHz 200 MHz

耗散功率(Max) 1300 mW 1300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - -

极性 - PNP

集电极最大允许电流 - 1A

长度 4.6 mm -

宽度 2.6 mm -

高度 1.6 mm 1.6 mm

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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