对比图
型号 SST39LF040-45-4C-NHE SST39LF040-55-4C-NHE SST39LF040-45-4C-WHE
描述 NOR闪存 512K X 8 45nsSST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点3.0-3.6V 读取和写入操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 5 mA，待机电流 1 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒，SST39SF020 4 秒，SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 CMOS 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，MicrochipMICROCHIP SST39LF040-45-4C-WHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 并行, TSOP, 32 引脚
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 存储芯片Flash芯片Flash芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 32 32 32
封装 PLCC-32 PLCC-32 TSOP-32
供电电流 - 20 mA -
针脚数 - 32 32
位数 8 8 -
存取时间 45 ns 55 ns 55 ns
存取时间(Max) 45 ns 55 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V
电源电压(DC) 3.00V (min) - 3.00V (min)
工作电压 3V ~ 3.6V - -
内存容量 500000 B - 500000 B
长度 - 11.43 mm -
宽度 - 13.97 mm -
高度 2.84 mm 2.79 mm 1.05 mm
封装 PLCC-32 PLCC-32 TSOP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 3A991.b.1.a -