对比图
型号 STI35N65M5 STP35N65M5 STW38N65M5
描述 N沟道650 V， 0.085 I© ， 27 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK V功率MOSFET ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-247-3
漏源极电阻 0.085 Ω 0.085 Ω 0.073 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 160 W 160 W 190 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 27A 27A 30A
上升时间 12 ns 12 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 3750pF @100V(Vds) 3750pF @100V(Vds) 3000pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 160 W 190 W
下降时间 16 ns 16 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 190W (Tc)
针脚数 - - 3
长度 - 10.4 mm 15.75 mm
宽度 - 4.6 mm 5.15 mm
高度 - 15.75 mm 20.15 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-247-3
材质 - Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99