对比图
型号 CY14B104NA-BA25XI CY14B104NA-BA25XIT CY14B104NA-BA25I
描述 CY14B104 系列 4 Mb (256 kb x 16) 2.7 - 3.6 V MVSRAM - FBGA-484兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 48 48 48
封装 FBGA-48 FBGA-48 FBGA-48
供电电流 70 mA - 70 mA
存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 3 V
耗散功率 1 W - -
存取时间 25 ns - -
封装 FBGA-48 FBGA-48 FBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a