对比图
型号 NZT751 PZT751T1G NSV60600MZ4T1G
描述 PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR PZT751T1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 75 MHz, 800 mW, -2 A, 40 hFEPNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
频率 75 MHz 75 MHz 100 MHz
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -
额定电流 -4.00 A 2.00 A -
针脚数 3 4 4
极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP
耗散功率 1.2 W 800 mW 2 W
增益频宽积 - 75 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @2A, 2V 75 @1A, 2V 120 @1A, 2V
额定功率(Max) 1.2 W 800 mW 800 mW
直流电流增益(hFE) 75 75 120
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.2 W 800 mW 2000 mW
集电极最大允许电流 4A - 6A
无卤素状态 - - Halogen Free
长度 6.7 mm 6.5 mm 6.7 mm
宽度 3.7 mm 3.5 mm 3.7 mm
高度 1.7 mm 1.57 mm 1.65 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -