LM833D和LM833DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM833D LM833DR LM833N

描述 双高速音频运算放大器 DUAL HIGH-SPEED AUDIO OPERATIONAL AMPLIFIERTEXAS INSTRUMENTS  LM833DR  运算放大器, 双路, 16 MHz, 2个放大器, 7 V/µs, ± 5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  LM833N  运算放大器, 双路, 15 MHz, 2个放大器, 7 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

供电电流 2.05 mA 2.05 mA 4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 80 dB 80 dB -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

转换速率 7.00 V/μs 7.00 V/μs 7.00 V/μs

增益频宽积 16 MHz 16 MHz 15 MHz

输入补偿电压 150 µV 150 µV 300 µV

输入偏置电流 300 nA 300 nA 300 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 16 MHz 16 MHz 15 MHz

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 80 dB

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 500 mW 500 mW

带宽 - 16 MHz 15 MHz

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

电源电压 - 10V ~ 36V -

电源电压(Max) - 18 V -

电源电压(Min) - 5 V -

电源电压(DC) - - 15.0 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

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