BC856AW和BC856AW-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856AW BC856AW-7-F

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323 SOT-323-3

引脚数 - 3

封装 SOT-323 SOT-323-3

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

频率 - 200 MHz

极性 - PNP

耗散功率 - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 125 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 250

额定功率(Max) - 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

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