BDX34CG和BDX54CTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDX34CG BDX54CTU TIP147T

描述 ON SEMICONDUCTOR  BDX34CG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFEDarlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS  TIP147T  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 90 W, 15 A, 1000 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -10.0 A -8.00 A -10.0 A

额定功率 - 60 W -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 70 W 60 W 90 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 10A 8A -

最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @3A, 3V 1000 @5A, 4V

额定功率(Max) 70 W 60 W 90 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 70000 mW 60 W 90000 mW

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 750 - 1000

集电极击穿电压 - - 100 V

长度 10.28 mm 9.9 mm 10.4 mm

宽度 4.82 mm 4.5 mm 4.6 mm

高度 9.28 mm 15.95 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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