SN65LVP16DRFT和SN65LVP16DRFTG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN65LVP16DRFT SN65LVP16DRFTG4 SN65LVP16DRFR

描述 2.5 V / 3.3 V振荡器增益级/缓冲区 2.5-V/3.3-V OSCILLATOR GAIN STAGE/BUFFERS2.5 V / 3.3 V振荡器增益级/缓冲区 2.5-V/3.3-V OSCILLATOR GAIN STAGE/BUFFERS2.5 V / 3.3 V振荡器增益级/缓冲区 2.5-V/3.3-V OSCILLATOR GAIN STAGE/BUFFERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 接口芯片接口芯片接口芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 WSON-8 HVSSON WFDFN-8

电源电压(DC) 2.50 V, 3.30 V 2.50 V, 3.30 V 2.50 V, 3.30 V

输出电流 400 µA 400 µA -

供电电流 40 mA - 40 mA

通道数 1 - 1

耗散功率 161 mW - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 2.375V ~ 3.6V - 2.375V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.375 V - -

封装 WSON-8 HVSSON WFDFN-8

长度 2 mm - -

宽度 2 mm - -

高度 0.53 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

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