IXFH80N15Q和IXTH75N15

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH80N15Q IXTH75N15 IXTT88N15

描述 TO-247AD N-CH 150V 80ATO-247AD N-CH 150V 75ATrans MOSFET N-CH 150V 88A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 360W (Tc) 330W (Tc) 400 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 80A 75A -

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 330W (Tc) 400W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 22 mΩ

漏源击穿电压 - - 150 V

上升时间 - - 33 ns

额定功率(Max) 360 W - 400 W

下降时间 - - 18 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3

长度 - - 16.05 mm

宽度 - - 14 mm

高度 - - 5.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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