TIP42CG和TIP42CTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP42CG TIP42CTU TIP42C

描述 ON SEMICONDUCTOR  TIP42CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 2 W, 6 A, 3 hFETIP系列 PNP 65 W 100 V 6 A 法兰安装 外延硅 晶体管-TO-220-3STMICROELECTRONICS  TIP42C  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 65 W, 6 A, 75 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz 3 MHz -

针脚数 3 3 3

耗散功率 65 W 65 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 65 W

直流电流增益(hFE) 3 15 75

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 65000 mW

额定电压(DC) -100 V - -100 V

额定电流 -6.00 A - -6.00 A

极性 PNP, P-Channel - Dual N-Channel, Dual P-Channel

增益频宽积 3 MHz - -

热阻 1.67℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 6A - -

长度 10.28 mm 10.67 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm

高度 15.75 mm 16.51 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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