MPLAD30KP18AE3和MXLPLAD30KP18A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPLAD30KP18AE3 MXLPLAD30KP18A MPLAD30KP18A

描述 18V 30000WTVS DIODE 18V 30.8V PLADTVS DIODE 18VWM 30.8VC PLAD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD SMD SMD

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 20 V 20 V 20 V

最大反向电压(Vrrm) 18V - -

封装 SMD SMD SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

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