对比图
型号 SI7138DP-T1-GE3 SI7478DP-T1-GE3 SI7478DP-T1-E3
描述 MOSFET 60V 30A 96W 7.8mohm @ 10VMOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SO-8 PowerPAKSO-8
引脚数 8 - 8
漏源极电阻 - 8.8 mΩ 0.006 Ω
耗散功率 5.4W (Ta), 96W (Tc) 1.9W (Ta) 1.9 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
耗散功率(Max) 5.4W (Ta), 96W (Tc) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)
极性 N-Channel - N-Channel
连续漏极电流(Ids) 30.0 A - 20.0 A
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
输入电容(Ciss) 6900pF @30V(Vds) - -
封装 SO-8 SO-8 PowerPAKSO-8
长度 - - 6.15 mm
宽度 - - 5.15 mm
高度 - - 1.04 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16