对比图
型号 IRLR8103VTRPBF STD60N3LH5 STD100N3LF3
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 VN沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 91.0 A - -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 10.5 mΩ 7.6 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 115 W 60 W 110 W
产品系列 IRLR8103V - -
阈值电压 3 V 1.8 V -
输入电容 2672pF @16V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 91.0 A, 89.0 A 24.0 A 80A
上升时间 9.00 ns 33 ns 205 ns
输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 2060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 60 W 110 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 -
下降时间 - 4.2 ns 35 ns
耗散功率(Max) - 60W (Tc) 110W (Tc)
长度 6.73 mm - -
高度 2.39 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - - 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -