对比图
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(3+Tab) IPAKN沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 N沟道MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 4 3
封装 TO-251 TO-251-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V
额定电流 17.0 A 12.0 A
漏源极电阻 75 mΩ 0.06 Ω
耗散功率 45 W 42.8 W
产品系列 IRFU024N -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 12.0 A
上升时间 34 ns 35 ns
下降时间 27 ns 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3
极性 - N-Channel
阈值电压 - 2 V
漏源击穿电压 - 60.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
输入电容(Ciss) - 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 30 W
耗散功率(Max) - 42.8W (Tc)
封装 TO-251 TO-251-3
高度 - 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17