SI7459DP-T1-GE3和SI7491DP-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7459DP-T1-GE3 SI7491DP-T1-E3 SI7459DP-T1-E3

描述 MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10VMOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 PowerPAKSO-8 SO-8 SO-8

漏源极电阻 - 0.0105 Ω 0.0056 Ω

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 1.9W (Ta) 1.8 W 1.9 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - -18.0 A -22.0 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.9W (Ta) 1.8W (Ta) 1.9W (Ta)

封装 PowerPAKSO-8 SO-8 SO-8

长度 6.15 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 1.04 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2014/06/16

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