TIP48和TIP48G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP48 TIP48G 2N5884G

描述 高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power TransistorsTIP 系列 300 V 1 A NPN 通孔 硅 功率晶体管 - TO-220ABON SEMICONDUCTOR  2N5884G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 4 MHz, 200 W, 25 A, 4 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 2

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-204-2

频率 10 MHz 10 MHz 4 MHz

额定电压(DC) 300 V 300 V -80.0 V

额定电流 1.00 A 1 A -25.0 A

针脚数 3 3 2

极性 NPN NPN PNP, P-Channel

耗散功率 2 W 40 W 200 W

增益频宽积 10 MHz 10 MHz 4 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 80 V

热阻 - 3.125℃/W (RθJC) 0.875℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 1A 1A 25A

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @300mA, 10V 20

额定功率(Max) 2 W 2 W 200 W

直流电流增益(hFE) 30 10 4

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40 W 200000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 150 - 100

长度 10.28 mm 10.28 mm 39.37 mm

宽度 4.82 mm 4.82 mm 26.67 mm

高度 9.28 mm 15.75 mm 8.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-204-2

材质 Silicon Silicon Silicon

重量 - 0.0004535924 kg -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tray

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台