MMBT2907ALT1和UN2227

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2907ALT1 UN2227 BC817-40LT1

描述 Transistor,NPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar typeCASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)

数据手册 ---

制造商 SynSemi Panasonic (松下) Motorola (摩托罗拉)

分类

基础参数对比

封装 - Mini3-G1 -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 20 V -

集电极最大允许电流 - 600mA -

封装 - Mini3-G1 -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

RoHS标准 - RoHS Compliant -

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