对比图
描述 HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVERSTMICROELECTRONICS L6384ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 11.5V-16.6V电源, 650mA输出, 200ns延迟, SOIC-8门驱动器 Hi-Volt Half Bridge
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 DIP-8 SOIC-8 SO-8
频率 - 0.4 MHz -
电源电压(DC) 16.6V (max) 11.5V (min) 14.4V (min)
上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns
输出接口数 2 2 2
针脚数 - 8 -
耗散功率 750 mW 0.75 W 750 mW
上升时间 - 50 ns 70 ns
输出电流(Max) - 0.65 A -
下降时间 - 30 ns 30 ns
下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns
上升时间(Max) 70 ns 50 ns 70 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -45 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW
电源电压 14.6V ~ 16.6V 14.6V ~ 16.6V 14.6V ~ 16.6V
电源电压(Max) - 16.6 V 16.6 V
电源电压(Min) - 11.5 V 8 V
输出电流 650 mA - 650 mA
通道数 - - 1
输出电压 580 V - -
长度 - 4.9 mm 5 mm
宽度 - 3.9 mm 4 mm
高度 - 1.25 mm 1.25 mm
封装 DIP-8 SOIC-8 SO-8
工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -