对比图
型号 IXFN44N80 STE45NK80ZD APT8014JLL
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 VN沟道800V - 0.11ohm - 45一ISOTOP超级FREDMesh MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFETSOT-227 N-CH 800V 42A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Screw Screw
引脚数 3 - 4
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - 800 V 800 V
额定电流 - 45.0 A 42.0 A
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 700 W 600W (Tc) 595 W
输入电容 - 26.0 nF 7.24 nF
栅电荷 - 781 nC 285 nC
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 45.0 A 42.0 A
上升时间 48 ns 128 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 10000pF @25V(Vds) 26000pF @25V(Vds) 7238pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 600 W 595 W
下降时间 24 ns - 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 700W (Tc) 600W (Tc) 595W (Tc)
额定功率 700 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 165 mΩ 130 mΩ -
阈值电压 4.5 V - -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
漏源击穿电压 - 800 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
重量 0.000036 kg - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -