对比图
型号 IRF510S IRF510STRLPBF IRF510SPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKPower Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc) 3700 mW
上升时间 - - 16 ns
输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)
下降时间 - - 9.4 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -
通道数 - 1 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 9.65 mm 9.65 mm -
高度 4.83 mm 4.83 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free