DS1211和DS1211+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1211 DS1211+ DS1211N+

描述 Nonvolatile Controller x 8 Chip3Integrated circuit: driver; RAM controller; Channels:8; DIP20Nonvolatile Controller 20Pin PDIP N

数据手册 ---

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 20 -

封装 - DIP-20 DIP-20

通道数 - 8 -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

长度 - 25.78 mm -

宽度 - 6.1 mm -

高度 - 3.18 mm -

封装 - DIP-20 DIP-20

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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