对比图
型号 BCW33LT1G BCW33LT3G BC848C-7-F
描述 ON SEMICONDUCTOR BCW33LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管DIODES INC. BC848C-7-F 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 600 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - - 300 MHz
针脚数 3 - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 300 mW 225 mW 300 mW
增益频宽积 - - 300 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) 800 - 800 @2mA, 5V
额定功率(Max) 225 mW 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) 420 - 600
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 350 mW
额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V -
额定电流 100 mA 100 mA -
长度 2.9 mm 3.04 mm 3.05 mm
宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.4 mm
高度 0.94 mm 1.11 mm 0.98 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
军工级 - - Yes
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99