CY7C25652KV18-550BZC和CY7C25652KV18-550BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C25652KV18-550BZC CY7C25652KV18-550BZXC

描述 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

时钟频率 - 550 MHz

位数 - 36

存取时间 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a

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