JANTXV1N6470和SMAJ10CA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N6470 SMAJ10CA 1N6470

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 6V 1.5kW 2Pin Case GDiode: transil; 400W; 11.1V; 106A; bidirectional; SMA高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 G - G

钳位电压 11 V - 11 V

测试电流 50 mA - 50 mA

脉冲峰值功率 1500 W - 1500 W

最小反向击穿电压 6.5 V - 6.5 V

击穿电压 6.5 V - 6.5 V

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 G - G

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

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