BFG520W和BFG540,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFG520W BFG540,215 BFG540W/XR

描述 NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistors射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSSNPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-343 TO-253-4 SOT-343

引脚数 - 4 -

封装 SOT-343 TO-253-4 SOT-343

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

频率 - 9000 MHz -

耗散功率 - 400 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @40mA, 8V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 -

额定功率(Max) - 400 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 400 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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