对比图
型号 IXTA170N075T2 IXTP170N075T2 IXFK180N07
描述 N沟道 75V 170ATrans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220TO-264AA N-CH 70V 180A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-264-3
引脚数 - - 3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 5.4 mΩ 5.4 mΩ -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 360 W 360 W 568000 mW
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 70 V
漏源击穿电压 75 V 75 V -
连续漏极电流(Ids) 170A - 180A
上升时间 11 ns 11 ns 160 ns
输入电容(Ciss) 6860pF @25V(Vds) 6860pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)
下降时间 19 ns 19 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 568W (Tc)
阈值电压 - 4 V -
额定功率(Max) - - 560 W
长度 10.41 mm 10.66 mm -
宽度 9.65 mm 4.83 mm -
高度 4.83 mm 16 mm 26.16 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
香港进出口证 - NLR -