K4D26323RA-GC36和W9412G2IB-5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K4D26323RA-GC36 W9412G2IB-5 HY5DU283222BFP-33

描述 1M x 32Bit x 4 Banks with Bi-directional Data Strobe and DLL Double Data Rate Synchronous RAM (144-Ball FBGA)DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 4Mx32 2.5V 144Pin LFBGA128M(4Mx32) GDDR SDRAM

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Winbond Electronics (华邦电子股份) SK Hynix (海力士)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

安装方式 - Surface Mount -

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -

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