对比图
型号 MMBT4401 MMBT4401LT3G SMMBT4401LT1G
描述 ON Semiconductor MMBT4401 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 3引脚 SOT-23封装NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz
针脚数 3 3 3
极性 - NPN NPN
耗散功率 0.35 W 225 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 1V 100 @150mA, 1V 100 @150mA, 1V
最大电流放大倍数(hFE) - - 300
额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) 300 20 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW
额定电压(DC) - 40.0 V -
额定电流 - 600 mA -
额定功率 - 300 mW -
长度 - 3.04 mm 3.04 mm
宽度 - 2.64 mm 1.4 mm
高度 - 0.94 mm 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99