MRF175GU和MRF275G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF175GU MRF275G MRF175LU

描述 N沟道MOS宽带射频功率FET N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs射频MOSFET线150W ,为500MHz , 28V The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28VN沟道宽带射频功率FET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs

数据手册 ---

制造商 M/A-Com M/A-Com M/A-Com

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

封装 375-04 375-04 333-04

引脚数 - 5 4

频率 225 MHz 500 MHz 400 MHz

额定电流 26 A 26 A -

输出功率 200 W 150 W 100 W

增益 14 dB 11.2 dB 10 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

额定电压 65 V 65 V 65 V

阈值电压 - - 3 V

输入电容(Ciss) - - 180pF @28V(Vds)

耗散功率(Max) - 400000 mW 270000 mW

额定功率 - 400 W -

耗散功率 - 400 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 375-04 375-04 333-04

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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