6116LA90DB和CY6116A-35DMB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA90DB CY6116A-35DMB JM38510/29104BJA

描述 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAMStandard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24,

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Harris

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 24 24 -

封装 CDIP-24 CDIP -

供电电流 85 mA 100 mA -

位数 - 8 -

存取时间 90 ns 35 ns -

存取时间(Max) - 35 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

电源电压 - 5 V -

封装 CDIP-24 CDIP -

长度 32 mm - -

宽度 15.24 mm - -

高度 2.9 mm - -

厚度 2.90 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 - 3A001.a.2.c -

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