BAT54HT1G和BAT54TW-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54HT1G BAT54TW-TP BAT54WS-V-GS08

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAT54HT1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CBAT54TW Series 30V 200mA 200mW SMT Schottky Barrier Diode - SOT-363VISHAY  BAT54WS-V-GS08  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科) Vishay Semiconductor (威世)

分类 肖特基二极管二极管阵列肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 6 2

封装 SOD-323-2 SOT-363 SOD-323

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

电容 10.0 pF 10.0 pF -

正向电压 0.8 V 1 V -

耗散功率 200 mW 200 mW 150 mW

反向恢复时间 5 ns 5 ns -

正向电流 200 mA 0.2 A 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 0.6 A 600 mA

正向电压(Max) 800 mV 1V @100mA 800 mV

正向电流(Max) 200 mA 0.2 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

工作结温 - -65℃ ~ 125℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电流 ≤200 mA - -

针脚数 2 - 2

极性 Standard - -

热阻 635℃/W (RθJA) - -

最大反向击穿电压 30 V - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

长度 1.8 mm 2.2 mm 1.95 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.5 mm

高度 1 mm 1 mm 1.05 mm

封装 SOD-323-2 SOT-363 SOD-323

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 65℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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