对比图
型号 IRF9333PBF SI9435BDY-T1-E3 SI4953ADY-T1-E3
描述 INFINEON IRF9333PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 VVISHAY SI9435BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOICVISHAY SI4953ADY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO
额定功率 2.5 W - -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0156 Ω 0.07 Ω 90.0 mΩ
极性 P-CH P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.00 W
阈值电压 1.8 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.2A -5.70 A 4.90 A, -4.90 A
输入电容(Ciss) 1110pF @25V(Vds) - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -
上升时间 - 14 ns 10 ns
下降时间 - 30 ns 20 ns
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 4.98 mm 5 mm -
宽度 3.99 mm - -
高度 1.57 mm 1.55 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs - -
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -